ミストCVD法で作製した異なる酸素密度のアモルファスGa-Al-O薄膜2層メモリスタ
ミストCVD法で作製した異なる酸素密度のアモルファスGa-Al-O薄膜2層メモリスタの研究開発を行った。ミストCVD法は大気圧で高品質な薄膜を成膜できる環境にやさしい半導体プロセスであり、アモルファスGa-Al-Oは低コストで有用な特性を実現できるやはり環境にやさしい半導体材料である。今回は、異なる酸素密度の2層構造で、メモリスタ特性を得ることに成功した。将来のニューロモーフィックシステムのシナプス素子としての活用が期待できる。